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中村修二

中村修二2014年诺贝尔物理学奖得主
中村 修二(なかむら しゅうじ)
Shuji Nakamura.jpg
出生 (1954-05-22) 1954年5月22日(67岁)
 日本爱媛县西宇和郡四滨村日语四ツ浜村(现伊方町
居住地 美国
国籍 美国(2005/2006年之后)
母校德岛大学
知名于发明实用级高亮度蓝色发光二极管、青紫色激光二极管
奖项IEEE/LEOS 工程成就奖(1996)
仁科芳雄奖(1996)
IEEE Jack A. Morton Award(1998)
British Rank Prize(1998)
富兰克林奖章(2002)
千禧年科技奖(2006)
阿斯图里亚斯亲王奖学术・技术研究部门(2008)
哈维奖英语Harvey Prize(2009)
诺贝尔物理学奖(2014)
文化勋章(2014)
文化功劳者(2014)
查尔斯·斯塔克·德雷珀奖(2015)
全球能源奖英语Global Energy Prize(2015)
全美发明家殿堂英语National Inventors Hall of Fame(2015)
科学生涯
研究领域电子工程
机构日亚化学工业
加州大学圣塔芭芭拉分校
日语写法
日语原文中村 修二
假名なかむら しゅうじ
平文式罗马字Nakamura Shūji

中村修二(日语:中村 修二なかむら しゅうじ Nakamura Shūji ?,1954年5月22日),生于日本爱媛县的日裔美国公民,专业为电子工程学家,商业用高亮度蓝色发光二极管与青紫色激光二极管的发明者,世称“蓝光之父”。现任美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授、爱媛大学客座教授。文化勋章获得者。文化功劳者

2014年,中村凭借“发明高亮度蓝色发光二极管,带来节能明亮的白色光源”与赤崎勇天野浩共同获得诺贝尔物理学奖,晋身继南部阳一郎之后的第2位美国籍日裔诺贝尔奖得主

中村是日本唯一同时拥有诺贝尔奖富兰克林奖章查尔斯·斯塔克·德雷珀奖全球能源奖英语Global Energy Prize全美发明家殿堂英语National Inventors Hall of Fame这5大荣誉的科学家。

主要成就

1993年,中村修二对名古屋大学赤崎勇天野浩师徒有关p型GaN(氮化镓)的早期贡献,提出正确的理论解释,并独立发明以InGaN(基于氮化铟镓英语Indium gallium nitride)晶体制作蓝色发光元件的双流式MOCVD日语ツーフローMOCVD方法(Two flow MOCVD),使得高亮度蓝色发光二极管正式实用化,开启爱迪生发明白炽灯之后的又一次人类照明革命。

生平

出身、求学

1954年5月22日,中村修二诞生于爱媛县西宇和郡四滨村日语四ツ浜村。1965年迁居兵库县尼崎市,后来就读爱媛县立大洲高等学校日语愛媛県立大洲高等学校普通科,亦参加排球社。1973年毕业后,原欲投考物理科系,但出于“就业不易”的考量,最终选择没有物理系的德岛大学。1977年从工学部电气工程科毕业,1979年获得同校工学硕士学位。完成学业后,中村原定进入京瓷公司。但为照顾大学时代出生的小孩,改入邻近的日亚化学工业(日亚化)公司,在开发课工作。

日亚化时期

中村就职后,竭力主张开发蓝色激光二极管的前景,日亚化因此拨给中村3亿日圆的研发经费。1987年至1988年9月,中村赴美国佛罗里达大学留学一年,回到日亚化投入2亿日圆着手改造有机金属化学气相沉积法装置。尽管受到公司新社长的反对,但中村仍坚持进行研究活动。

1993年,中村发明双流式MOCVD方法,日亚化得以量产实用级高亮度蓝色发光二极管,并取得LED照明市场的全球独霸地位,其后数年获利达数千亿日圆。翌年以论文“InGaN高亮度蓝色LED的相关研究”取得德岛大学论文博士学位(工学)。1995年,他成功实现InGaN/GaN蓝色激光二极管的室温下脉冲振荡。

1999年,中村离职,翌年应杨祖佑之邀担任加州大学圣塔芭芭拉分校材料工学院教授。

中村判决

中村修二发明的双流式MOCVD方法即通称的404专利日语404特許。中村赴美后,围绕着专利与专利转让问题,中村与日亚化展开了一系列诉讼。2004年1月30日,中村正式控告日亚化,要求补偿发明的对价。一审法庭基于“中村的发明贡献不小于一半”的判断,判决日亚化需支付200亿日圆。但东京高等法院最终在2005年1月11日做出“建议和解”的裁决,日亚化支付中村8亿4000万日圆,自此买断中村在该公司的所有发明。当日,中村修二及其律师在记者会抨击“日本司法制度很烂”。

2014年11月3日,中村因获颁文化勋章返国召开记者会,自道“希望与日亚化修复关系”,但未如愿。

学界活动

赴美成为加州大学教授之后,中村修二亦陆续兼任信州大学(2002年)、爱媛大学(2006年)客座教授,以及复旦大学(2009年)顾问教授。

2005年,中村发明可以简单地将光电解取出氢气的方法。2007年1月,他宣布发明世界第一个非极性蓝紫色激光二极管。

中村修二名列2002年汤森路透引文桂冠奖,并在2014年与赤崎勇天野浩同获诺贝尔物理学奖。天野教授其时谦称:“中村先生是实验之神,迅速推进蓝光LED的实用化。让氮化镓材料受到重视的最大功臣,除了中村没有第二个人。”根据诺贝尔奖委员会,有关3人贡献的主要区别是:

  • 赤崎:以低温沉积氮化铝(AIN)缓冲制成高品质GaN
  • 天野:实现pn结GaN
  • 中村:对实用级高效能蓝色LED的一系列成就、贡献(基于InGaN英语Indium gallium nitride,但官方文件未载)

荣誉

发言

在2014年《日本经济新闻》的专访中,中村解释自己为何入籍美国:

对此,京都大学教授山中伸弥在《日经商务周刊》表示:

2015年5月3日,中村修二在一场与JAXA负责人川口淳一郎日语川口淳一郎的对谈中表示,江崎玲于奈(1973年诺贝尔物理学奖得主)是他“尤其尊敬的人物”。江崎发明了对LED至为重要的超晶格

参见

外部链接


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